E8F2系列歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器好折扣

　　歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器的歷史可追溯到70多年前......歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志，整個(gè)發(fā)展過程可以分為以下四個(gè)階段：
　　1、發(fā)明階段（1945-1960年）
　　這個(gè)階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后，半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯（C.S.Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng)，即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí)，其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。此階段小尺寸大約為1cm。
　　2、發(fā)展階段（1960-1970年）
　　隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了金屬-硅共晶體，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
　　3、商業(yè)化階段（1970-1980年）
　　在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，主要有V形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕，數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式，成本進(jìn)一步降低。
　　4、微機(jī)械加工階段（1980年至今）
　　上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù)，使得微機(jī)械加工工藝成為可能。通過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器，其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜，使得歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。

E8F2系列歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器好折扣

歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器訂貨號(hào)：
E8F2-A01C 
E8F2-A01B 
E8F2-B10C 
E8F2-B10B
E8F2-AN0C 
E8F2-AN0B
E8F2-A01C 
E8F2-A01B 
E8F2-B10C 
E8F2-B10B
E8F2-AN0C 
E8F2-AN0B
E8F2-A01C 
E8F2-A01B 
E8F2-B10C 
E8F2-B10B
E8F2-AN0C 
E8F2-AN0B